L'essentiel Jeudi 15 Mai @ VIPress.netSamsung crédibilise la technologie FD-SOI de STMicroelectronics
STMicroelectronics est-il en passe de gagner son pari ? Imposer sa technologie FD-SOI, à ses yeux plus simple et moins coûteuse à développer que la technologie FinFET choisie notamment par Intel et TSMC pour les technologies les plus avancées ? En tout, le groupe franco-italien frappe un grand coup en signant avec Samsung un accord de fonderie et de licence qui assure la disponibilité multi-sources en production de volume de la technologie FD-SOI SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nm. La technologie FD-SOI en 28 nm sera qualifiée par Samsung pour une production en volume début 2015. Cet accord devrait convaincre les fournisseurs de logiciels de CAO et de blocs de propriété intellectuelle d’enrichir le catalogue d'IP mis à la disposition de la filière FD-SOI en 28 nm …
Cet accord de licence permet aux clients de bénéficier des solutions de fabrication avancées produites dans les installations en 300 mm dont dispose Samsung, et assure à l'ensemble de l'industrie une capacité de production en grand volume pour la technologie FD-SOI de ST. La technologie FD-SOI en 28 nm permet de réaliser des circuits intégrés plus rapides, plus simples et qui dégagent moins de chaleur, répondant ainsi à la demande en systèmes sur puce plus performants et plus économes en énergie, un facteur décisif pour les applications de l’Internet des objets notamment.
Cet accord sur la technologie FD-SOI en 28 nm porte sur la technologie de fabrication ainsi que sur l'écosystème de conception développés par ST. Il complète les moyens de production en 28 nm dont dispose ST sur son site de production en 300 mm à Crolles (près de Grenoble), permettant de proposer une option multi-sources pour les produits réalisés en technologie FD-SOI 28 nm. En outre, les clients pourront bénéficier de l'expérience et des connaissances acquises par Samsung et ST en matière de technologies de production en grands volumes. Néanmoins, Samsung ne fait pas le choix exclusif du FD-SOI et développe en parallèle la technologie FinFET.
« Capitalisant sur les solides relations nouées par ST et Samsung dans le cadre de l'International Semiconductor Development Alliance (ISDA), cet accord renforce davantage notre coopération en l'étendant à la technologie FD-SOI en 28 nm, tout en élargissant l'écosystème et en augmentant la capacité de production pour ST, mais également pour l'ensemble de l'industrie électronique », a déclaré Jean-Marc Chery, directeur général (COO) de STMicroelectronics. « Nous prévoyons l'élargissement de l'écosystème FD-SOI en 28 nm avec les principaux fournisseurs d'outils de CAO électronique et de propriété intellectuelle (IP), ce qui enrichira le catalogue d'IP mis à la disposition de la filière FD-SOI en 28 nm », ajoute-t-il.
« Le 28 nm est une technologie de fabrication très efficace dont la durée de vie sera longue en utilisant des moyens de production bien établis. En ajoutant le FD-SOI à notre portefeuille de technologies, Samsung propose une gamme complète de solutions de fabrication en 28 nm qui contribueront au succès de nos clients. C'est une solution idéale pour les clients qui souhaitent accroître les performances et le rendement énergétique en 28 nm sans être obligés de migrer vers le 20 nm », commente pour sa part, Dr Seh-Woong Jeong, vice-président exécutif System LSI Business de Samsung Electronics.
Selon Handel Jones, fondateur et p-dg d'International Business Strategies (IBS), « le nœud 28 nm aura une durée de vie considérable. Nous tablons sur environ 4,3 millions de tranches à l'horizon 2017, et le FD-SOI pourrait bien capter au moins 25 % de ce marché ».
La technologie FD-SOI résulte d'une activité de recherche et développement de longue date mené au sein du pôle technologique grenoblois regroupant ST, le CEA-Leti, Soitec ainsi que d'autres partenaires. Cette technologie de fabrication de semiconducteurs prolonge la Loi de Moore en permettant de faire évoluer la technologie planaire traditionnellement utilisée pour fabriquer des semiconducteurs. Contrairement à d'autres filières de fabrication tel le FinFET, la technologie FD-SOI bénéficie de la continuité des flux de conception existants, et est prise en charge par un large éventail de logiciels de CAO électronique et d'équipements de production déjà installés. Outre l'exploitation des flux de conception et du matériel de production existants, cette technologie est censée réduire de façon significative la complexité des processus de production.
STMicroelectronics a fait le choix (risqué au départ) de s’engager dans la technologie FD-SOI dès 2008 pour se préparer à la rupture technologique qui interviendra au nœud technologique 14 nm avec des transistors 2D. En début d’année, à l’occasion de présentation des résultats annuels de ST, Jean-Marc Chery nous avait indiqué que d’ici fin 2015, ST disposera à Crolles d’une capacité de production de 1000 à 1500 tranches de 300 mm par semaine en technologie FD-SOI (voir notre [L]http://europelectronics.vipress.net/?id=adwvadyvagheryxxxa|article[/L]).
ST avait déjà signé un accord de transfert de licence de la technologie FD-SOI avec Globalfoundries, mais le fondeur n’a pas annoncé à ce jour qu’il comptait introduire cette technologie production.
Arelis prévoit l’installation d’un écosystème technologique et industriel dans la Meuse
Dans le cadre de sa stratégie basée sur une volonté de développement à l’international, -plus de 50% à l’export attendu en 2014-, et d’innovations technologiques en matière de radiofréquence/hyperfréquence et de gestion de l’énergie, le groupe Arelis, issu du rapprochement de Meusonic et Sericad en 2010 et dont le siège est en Meuse, envisage d’implanter un centre technologique et industriel près de la gare TGV Meuse. L’idée est de déployer autour de ce centre, un véritable écosystème de recherche et de développement. Son installation devrait débuter dès le premier trimestre 2016 …
Ce nouveau centre comprendrait un pôle de recherche favorisant le développement de nouvelles solutions en radiofréquence/hyperfréquence et en gestion de l’énergie. Les développements logiciels occuperaient une part tout aussi importante que les développements électroniques. Ce pôle s’attacherait par ailleurs à industrialiser, du prototype à la moyenne série, ces produits. Ce projet a déjà suscité l’intérêt de partenaires étrangers qui souhaitent ériger un centre commun de R&D en technologie hyperfréquence, assure l’entreprise.
Tout autour de ce centre, l’ambition d’Arelis est de déployer un véritable écosystème de recherche et de développement avec la participation d’autres partenaires industriels et de start-up, la création d’un centre d’incubation et d’accueil d’entreprises innovantes mais aussi l’implantation de nouvelles écoles et universités.
Né de la fusion des sociétés Meusonic et Sericad, le groupe Arelis a repris en 2012 Thomson Broadcast et l’ensemble de ses activités de transmission, un rachat qui fait suite à la levée de fonds en 2012 de 6,5 M€ auprès d’ACE Management, une société de gestion de portefeuille privée. Le groupe investit plus de 15% de son chiffre d’affaires en R&D pour concevoir, industrialiser et fabriquer des équipements pour les filières de l’industrie aéronautique et spatiale, de l’électronique, de la défense, du transport et des télécommunications. Arelis compte actuellement plus de 300 employés en France répartis sur 5 sites.
Hausse de 9% des ventes trimestrielles du Top20 en semiconducteurs
Au premier trimestre, les vingt premiers fabricants mondiaux de semiconducteurs ont totalisé 59,63 milliards de dollars de ventes cumulées, soit un bond de 9% par rapport au premier trimestre 2013, selon IC Insights. Cette forte croissance, qui traduit la conjoncture favorable de l’industrie des semiconducteurs actuellement, est de deux points supérieure à celle de 7% envisagée par le cabinet d’études pour l’ensemble de l’année 2014 pour le marché des semiconducteurs …
Le classement en lui-même n’a rien de surprenant. On notera toutefois que STMicroelectronics sort du Top10 pour descendre à la onzième place et réalise le plus mauvais score du classement, avec des ventes trimestrielles en retrait de 10% sur un an (mais +1%, hors produits de ST-Ericsson).
On notera la forte croissance du Taïwanais MediaTek (+48%, à 1,6 milliard de dollars), qui gagne quatre places en un an. Bien positionné sur le marché des processeurs pour smartphones d’entrée de gamme de fabrication asiatique, notamment chinoise, MediaTek va bénéficier en outre de la finalisation au premier février dernier de sa fusion avec son compatriote MStar qui le propulsera bien au-delà de ventes annuelles de 6 milliards de dollars, explique IC Insights.
Soulignons également les fortes croissances enregistrées par SK Hynix (+36%), AMD (+28%), Micron (+27%) et Infineon (+19%).
Le marché mondial des circuits LTE devrait progresser de 47% en 2014
Selon Forward Concepts, le marché mondial des circuits bande de base au standard LTE est passé de 103 millions d’unités en 2012, à 219 millions de pièces en 2013. Il devrait cette année faire un bond de 47% pour atteindre 338 millions d’unités …
L’étude souligne que les smartphones ont représenté 73% du marché des terminaux LTE en 2013, contre 16% pour les tablettes.
Acal achève son recentrage sur l’électronique
Le distributeur britannique Acal vient d’annoncer la signature d’un accord pour céder ses dernières activités en dehors de l’électronique, achevant ainsi son recentrage en tant que distributeur de composants électroniques spécialisé sur les marchés de l’industriel et du médical …
L’activité britannique de pièces détachées en technologies de l’information et de services de support pour les entreprises va être cédée pour 6 millions de livres. Elle a représenté pour l’année fiscale close fin mars 2013, un chiffre d’affaires de 6,1 M£ et généré un bénéfice imposable de 1,2 M£.
Pour la seconde moitié de son exercice clos fin mars, les ventes d’Acal en électronique (97% de son activité) ont progressé de 22% sur un an (+4% hors acquisitions). Au cours de l’exercice, Acal a racheté successivement le Français Myrra, le Britannique Young Electronics et l’Allemand RSG Electronics Components. Acal publiera ses résultats annuels le 30 mai prochain.
Capteurs et actuateurs : Continental ouvre un centre de R&D mondial en République tchèque
L’équipementier automobile allemand Continental annonce l’ouverture à Ostrava, en République tchèque, d’un centre de compétences à vocation mondiale, qui aura la responsabilité à l’échelle mondiale des travaux de recherche et développement pour les capteurs et les actuateurs. Dans un premier temps, ce centre de 5000 m2 emploiera 160 personnes, puis 200 salariés à moyen terme dont plus de la moitié seront des ingénieurs de développement …
A Frenstat, à 40 km d’Ostrava, Continental possède déjà une unité de production qui emploie 2500 personnes. L’extension de la capacité de production du site, notamment dans le domaine des capteurs et des actuateurs, nécessitait d’en relocaliser le département développement. Les travaux du centre de développement porteront sur le développement de capteurs et d’actuateurs utilisés par les systèmes de réduction des émissions de CO2 et de la consommation de carburant des moteurs à combustion dans les voitures modernes.
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