En bref Mardi 30 Avril @ VIPress.netRégulateur micromodule, abaisseur, 5A, ondulation de sortie 1mV
Le LTM8028 commercialisé par Linear Technology est un régulateur µModule (micromodule), ondulation de sortie de 1mV, conçu pour alimenter les convertisseurs de données et les émetteurs-récepteurs rapides. Le faible niveau d’ondulation de sortie minimise la gigue aléatoire dans les émetteurs-récepteurs rapides de transmission de données et conduit à un plus faible taux d’erreur de bit (BER). En alimentant un convertisseur analogique-numérique (CAN) avec le LTM8028, les tests ont montré une amélioration de 13dB dans la gamme dynamique exempte de parasites (SFDR) en comparaison avec un régulateur abaisseur typique …
• Le régulateur µModule comprend un commutateur abaisseur, synchrone, de 36V, alimentant un post-régulateur linéaire de 5A, dans un boîtier BGA, compact de 15mm x 15mm x 4,92mm.
• Afin de minimiser la consommation et la chute de tension dans le régulateur linéaire, ce régulateur ajuste automatiquement la tension de sortie du convertisseur synchrone interne.
• Gamme de tensions d’entrée : 6V à 36V ; broche à 3 états I/F pour déterminer la tension de sortie VOUT entre 0,8V et 1,8V par incrément de 50mV
• Précision de ±1,5% sur la gamme de températures ; possibilité de mise en parallèle jusqu’à 10A
Fabricant : Linear Technology
Référence : LTM8028
| [L]http://www.linear.com/product/ltm8028|DATASHEET[/L] | [L]mailto:bdonnou@linear.com|PLUS D'INFOS[/L] | [L]http://vipress.europelectronics.net/h/datasheets.php?MD=1|PRODUITS SIMILAIRES[/L] |
Mémoire DRAM LPDDR3 mobile de 4 Gbits en technologie 20 nm
Samsung Electronics lance la fabrication de la première mémoire DRAM LPDDR3 (low power double data rate 3) mobile ultra-rapide de quatre gigabits, gravée en classe 20 nm. Comparé à une DRAM LPDDR3 gravée en 30 nm, les performances de cette nouvelle mémoire sont 30% supérieures et la consommation d'énergie 20% inférieure. Cette solution présente un grand intérêt pour les fonctions multimédia gourmandes en ressources des appareils mobiles de prochaine génération, notamment les téléphones intelligents et les tablettes …
• La LPDDR3 4 Gb atteint un taux de transmission des données de 2133 mégabits par seconde par broche, soit plus du double des performances de la mémoire DRAM (LPDDR2) mobile précédente avec une vitesse de transmission des données de 800 Mbit/s.
• La DRAM LPDDR3 mobile de classe 20 nm de Samsung permet l'affichage sans à-coups de vidéos full HD sur des téléphones intelligents dotés d'écrans de plus de 5".
• En adoptant la DRAM LPDDR3 mobile de 4 Gb de Samsung, les fabricants disposent de 4 puces intégrées dans un seul boîtier de 2 Go dont la hauteur ne dépasse pas 0,8 mm.
Référence : DRAM LPDDR3 mobile
Fournisseur : Samsung
| [L]http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=12763&__ncforminfo=qe3yzBrhAHVw0Nl4d2C90pXfrlNxlR4v3fUNSipzHS7PLSjMZY3-nuD2H9qsNyvR|DATASHEET[/L] | [L]http://www.samsung.com/global/business/semiconductor|PLUS D'INFOS[/L] | [L]http://vipress.europelectronics.net/h/datasheets.php?MD=4|PRODUITS SIMILAIRES[/L] |
© VIPRESS - Soyez le premier informé !
Mentions légales
