Samsung Electronics annonce le démarrage de la production en grandes séries des modules de mémoire RDIMM (Registered Dual Inline Memory) DDR4 (double data rate-4) de 64 Go qui utilisent la 3D grâce à la technologie package TSV (Through Silicon Via). Le nouveau module TSV de 64 Go est deux fois plus rapide qu'un module de 64 Go avec câblage par fil de bonding, tout en consommant environ la moitié de la puissance de ce dernier …

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• Pour réaliser un package DRAM 3D TSV, les matrices DDR4 sont amincies jusqu'à une épaisseur de quelques dizaines de microns. Elles sont alors percées de centaines de trous pour permettre le passage des électrodes de raccordement vertical. Les nouveaux modules RDIMM intègrent 36 puces DRAM DDR4, composée chacune de quatre matrices DRAM DDR4 de 4 Gb. La fabrication de ces puces à faible consommation met en œuvre la technologie 20 nm la plus évoluée de Samsung ainsi que la technologie de packaging 3D TSV.
• Ces modules haute performance à haute densité sont destinés aux serveurs d’entreprise, aux applications cloud et aux centres de traitement de l’information.
• Selon Gartner, le marché mondial des DRAM devrait atteindre 38,6 milliards de dollars et 29,8 milliards d'unités (estimation en unités équivalentes de 1 Go) à la fin de l'année. Gartner prévoit également que le marché des serveurs représentera plus de 20% de la production de DRAM cette année avec environ 6,7 milliards d'unités (estimation en unités équivalentes de 1 Go).

Référence : 3D TSV DDR4 Modules
Fournisseur : Samsung Electronics

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